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01 認(rèn)識功率器件

功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費(fèi) 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ，具有很高的戰(zhàn)略地位，下面我們從一張圖看功率器件的全貌：

功率半導(dǎo)體器件又可根據(jù)對電路信號的控程度分為全型 、半控型及不可；或按驅(qū)動電路信號 性質(zhì)分為電壓驅(qū)動型 、電流驅(qū)動型等劃分類別 電流驅(qū)動型等劃分類別 電流驅(qū)動型等劃分類別 。

不同功率半導(dǎo)體器件 ，其承受電壓 、電流容量 、阻抗能力 、體積大小等特性也會不同 ，實(shí)際使用中 ， 需要根據(jù)不同領(lǐng)域 、不同需求來選用合適的器件。

半導(dǎo)體行業(yè)從誕生至今 ，先后經(jīng)歷了三代材料的變更程 ，截至目前 ，功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域仍主要采 用以 Si 為代表的第一半導(dǎo)體材料 。

匯總下半控型和全控型功率器件的特性

02 認(rèn)識MOSFET

MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好；制造工藝簡單、輻射強(qiáng)，因而通常被用于放大電路或開關(guān)電路；

（1）主要選型參數(shù)：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續(xù)漏電流，RDS(on) 導(dǎo)通電阻，Ciss 輸入電容（結(jié)電容），品質(zhì)因數(shù)FOM=Ron * Qg等。

（2）根據(jù)不同的工藝又分為

Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi)；SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi)；SJ MOS：超結(jié)MOS，主要在高壓領(lǐng)域 600-800V；

在開關(guān)電源中，如漏極開路電路，漏極原封不動地接負(fù)載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理（詳細(xì)請關(guān)注作者其他MOS詳解）。

從市場份額看，MOSFET幾乎都集中在國際大廠手中，其中英飛凌2015年收購了IR（美國國際整流器公司）成為行業(yè)龍頭，安森美也在2016年9月完成對仙童半導(dǎo)體的收購后，市占率躍升至第二，然后銷售排名分別是瑞薩、東芝、萬國、ST、威世、安世、美格納等等。

與活躍于中國大陸的國際廠商相比，國產(chǎn)企業(yè)優(yōu)勢不明顯，但這不能說國產(chǎn)沒有機(jī)會，中國大陸是世界上產(chǎn)業(yè)鏈最齊全的經(jīng)濟(jì)活躍區(qū)，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域活躍著一批本土制造企業(yè)，目前已基本完成產(chǎn)業(yè)鏈布局，且處于快速發(fā)展中；特別是MOSFET領(lǐng)域，國產(chǎn)在中低壓領(lǐng)域替換進(jìn)口品牌潛力最大，且部分國產(chǎn)、如士蘭、華潤微（中航）、吉林華微、魯晶等都在努力進(jìn)入世界排名。

03 MOS管封裝分類

按照安裝在PCB板上的方式來劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。

插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有：雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)三種樣式。